삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. 1c D램과 4나노 로직 다이 적용으로 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다.삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 시대 핵심 반도체로 꼽히는 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 세계 최초로 글로벌 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나섰다.

업계 최고 수준의 HBM4 양산 출하에 이어 차세대 제품인 HBM4E까지 선제적으로 선보이며, 글로벌 AI 인프라 시장을 둘러싼 고대역폭 메모리(HBM) 경쟁에서 기술 초격차를 다시 한번 입증했다는 평가가 나온다.

삼성전자는 최근 차세대 AI 가속기용 핵심 메모리인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 AI 서버와 초고성능 컴퓨팅(HPC), 대규모 언어모델(LLM) 등에 필수적인 차세대 메모리 반도체다. 생성형 AI 시장이 폭발적으로 성장하면서 글로벌 반도체 기업 간 경쟁도 치열해지고 있다.

삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어, 수개월 만에 HBM4E 샘플 공급까지 시작하며 차세대 HBM 시장 선점에 속도를 내고 있다.

특히 이번 HBM4E 공급은 단순한 신제품 출시를 넘어 향후 수년간 급성장할 글로벌 AI 데이터센터 시장에서 삼성전자의 공급 안정성과 기술 우위를 강화하는 계기가 될 것으로 전망된다.

HBM4E는 설계와 공정 최적화를 통해 성능과 전력 효율, 수율 경쟁력을 동시에 끌어올린 것이 특징이다.

삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. 1c D램과 4나노 로직 다이 적용으로 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다.핀(Pin)당 데이터 전송 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 구현해 전작인 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준으로는 초당 3.6TB의 데이터 처리 대역폭을 제공해 초거대 AI 연산 성능을 극대화했다.

용량도 크게 늘었다. HBM4E 12단 제품은 48GB 고용량을 구현해 전작 대비 30% 이상 확대됐으며, 삼성전자는 향후 32GB(8단)와 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

이번 제품에는 삼성전자의 최첨단 메모리·파운드리 기술이 집약됐다. 업계 최선단 공정인 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 4나노 로직 다이를 적용해 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다.

업계에서는 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 모두 자체 수행할 수 있는 삼성전자의 ‘원스톱 턴키 솔루션’ 경쟁력이 HBM 시장에서 강력한 차별화 요소로 작용하고 있다는 분석도 나온다.

에너지 효율과 발열 제어 능력도 향상됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 에너지 효율을 전작 대비 16% 개선했고, 열 저항 특성도 14% 이상 향상시켰다고 설명했다.

이는 고부하 AI 연산 환경에서 발생하는 발열 문제를 줄여 제품 신뢰성과 데이터센터 전력 효율을 동시에 높일 수 있다는 의미다. AI 시대 데이터센터의 핵심 과제가 전력 소비 절감이라는 점에서 경쟁력을 한층 강화했다는 평가다.

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로글로벌 고객사에 출하되는 모습.  삼성전자는 HBM4 세계 최초 양산 출하에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 개시하며 메모리 시장 기술 리더십을 다시 한번 증명했다삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 확대할 예정이다.

앞서 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 역시 글로벌 고객사 공급을 확대하고 있다. 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 SiP(System in Package) 테스트에서 업계 최고 수준인 11.7Gbps 속도를 기록하며 최고 등급 평가를 받은 바 있다.

업계에서는 HBM4E와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 이미 HBM4 양산에 적용되고 있는 만큼, HBM4E 역시 안정적인 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 기술 리더십을 다시 한번 입증했다”며 “앞으로도 압도적인 기술 경쟁력과 선제적 생산 투자로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나가겠다”고 말했다.